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瑞萨科技发布5 W输出、高频功率MOSFET
  发布时间:2006-4-4 14:12:50 阅读次数:
来源: 作者:
 

  瑞萨科技公司宣布推出包括5 W输出RQA0002在内的三种高频功率mosfet,用于手持式无线电设备及类似设备中的传输功率放大,通过使用新工艺和新封装,实现了高效率*1、并大大减小了封装的尺寸。
  在2005年5月,将在日本开始无线电天线1 W输出RQA0001的批量生产,在7月份开始5 W 输出RQA0002的批量生产,在4月22日开始3 W 输出RQA0003的批量生产。
  这些新产品的主要特性如下。
  (1) 在低电压下实现高效率
  由于大多数商用和休闲用无线电设备是手持式的,要求高频功率MOSFET提供适合电池驱动和高效率的低压操作,使通信时间可以延长。通过使用新工艺,这三种产品在3.6 V-7.5 V的低压操作下实现了高效率。尤其是RQA0002,可以提供5 W输出下的业界最高效率水平,功率附加效率是68% (7.5 V工作电压和520 MHz频率下)。与瑞萨科技先前的12 V下工作的产品相比,功率附加效率增加了大约4%,同时降低了电压,并实现了高达9 W的输出功率。
  (2) 小型、薄型、无引线、无铅封装
  我们已经开发出两种具有很好散热特性的小型、薄型封装,以满足更小、更薄手持式设备的需要。WSON0504-2的尺寸为5.0 mm × 4.0 mm 、厚度为0.8 mm (最大值) ,它的 (瑞萨科技的封装代码) 的安装面积比瑞萨科技目前的RP8P (瑞萨科技的封装代码) 封装约减小了31%,厚度小了大约46% 。RQA0002通过使用这种封装,成为了业界最小、最薄的5 W输出高频功率MOSFET。RQA0001 和RQA0003使用尺寸为3.0 mm × 3.0 mm、厚度为0.8 mm (最大值) 的WSON0303-2 (瑞萨科技的封装代码) ,与目前的UPAK (瑞萨科技的封装代码) 封装相比,安装面积约减小了53%、厚度约减小了50%。
  WSON0504-2和WSON0303-2是无引线型封装,将电接地和散热结合起来,并且是绿色环保的完全无铅结构。
  这三种产品系列可以用于不同的天线输出,与具有不同无线电规则的各国商用和休闲用无线电设备兼容。
  < 产品背景 >
  很多商用和休闲用无线电设备是手持式的,要求电池寿命长、便携性、小巧、重量轻。为了放大高频信号,以便发射来自天线的无线电波,这类无线电设备中的传输功率放大器具有高功耗特性,需要很大的散热器抑制散热。在实现更低功耗以延长电池寿命、降低尺寸方面,这是主要的障碍。
  先前,进行传输功率放大的主流高频功率MOSFET类型是高压工作的产品型号,可以用于车辆内和手持式无线电设备中;但由于具有上述缺点,对可以实现更高的效率的小型、薄型、散热性能好的类型的需求增加,以节省用户产品的功耗、以及使设计更小巧、更轻薄。
  瑞萨科技利用其在12 V下工作的产品方面的经验,开发出用于手持式无线电设备的新型RQA0001、RQA0002和RQA0003,可以在3.6 V-7.5 V的低压下提供很高的效率,而且尺寸大大减小。
  < 附加的产品详情 >
  这三种新产品实现了高输出、高击穿电阻,以及低压操作、高效率。详情如下。
  " 与瑞萨科技目前的产品相比,MOSFET的栅极大约细了64%,通过降低MOSFET的漏源电阻,在低压操作下实现了高输出和效率。尽管由于栅条更细,使得漏源击穿电压也降低了,在高频输出操作时更容易击穿,瑞萨科技通过采用特殊的芯片内连线方法、通过击穿电阻使漏源电压更安全,保证了高性能。因此,5 W输出RQA0002实现了此类MOSFET的业界最高性能,在520 MHz频率和7.5 V工作电压下,实现了9 W输出功率和68%的功率附加效率。
  由于具有高输出和效率。这三种新型功率MOSFET也可以用于移动电话的800/900 MHz波段和1.5/1.7/1.8 GHz波段,以及商业无线电等使用的175 MHz和500 MHz波段。
  瑞萨科技计划将来开发频率更高、效率更高的型号,以拓展产品系列。
  注释:
  1. 效率:一种表征来自电源(电池)的DC功率转化为高频输出信号的百分比的性能表示方法。如果效率低,与高频输出无关的功率被MOSFET消耗,功耗增加,并发热。
  * 这里提到的产品名称、公司名称或商标,分别归它们的所有者所有。
  < 典型应用 >
  " 无线通信设备:不同类型的商务、业余和休闲无线电设备(FRS、GMRS)

 
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